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#*.*.*（增加“#”）

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#*.*.*具有消除*次放電系統，配備鉑質屏蔽矩，真實接地徹底杜絕*次放電，同時精確控制離子能量* **以內（須提供屏蔽矩實物圖），否則視為負偏離。若是虛擬接地，須配*套射頻線圈以備更換；

*.*.*具有消除*次放電系統，配備鉑質屏蔽矩；或者采用虛擬接地技術，接地徹底杜絕*次放電；

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*.*.*接口：鎳質采樣錐和截取錐組成主流雙錐接口設計，錐數量≤*個。具有≤*.* **的采樣錐孔、≤*.** **的截取錐孔，減少高基體樣品進入儀器真空腔，保證質譜系統的長期穩定性，減少真空腔內的維護。錐上不得施加任何電壓，采樣錐和截取錐之間不得通入任何氣體；

*.*.*接口：鎳質采樣錐和截取錐組成主流雙錐接口設計。具有≤*.* **的采樣錐孔、≤*.** **的截取錐孔，減少高基體樣品進入儀器真空腔，保證質譜系統得長期穩定性，減少真空腔內的維護；

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#*.*.*配備碰撞反應池，*極桿設計，碰撞反應池具有溫控功能，保證運行穩定性并能有效耐污染，池內溫度范圍**~** ℃，*.*℃連續可調，須提供池溫控軟件截圖證明；

#*.*.*配備碰撞反應池，碰撞反應池具有溫控功能，保證運行穩定性并能有效耐污染，池內溫度范圍**~** ℃，*.*℃連續可調，須提供池溫控軟件截圖證明；

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*.*.*?脈沖模擬雙模式電子倍增器，且為正交設計即待測離子通過*極桿質濾器后，偏轉**度再進入檢測器，須提供檢測器實物圖證明；

*.*.*?脈沖模擬雙模式或者全數字電子倍增器，且為正交設計即待測離子通過*極桿質濾器后，再進入檢測器，須提供檢測器實物圖證明；

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#*.*.*（增加“#”）

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#*.*?檢出限：*** ≤ *.* ***，***** ≤ *.****，***** ≤ *.****（提供官方性能指標出版彩頁證明）；

#*.*?檢出限：*** ≤ *.* ***，***** ≤ *.****，***** ≤ *.**** (提供官方性能指標出版彩頁證明)；