采購(gòu)內(nèi)容:分子束外延（***）設(shè)備；

主要功能或目標(biāo):分子束外延系統(tǒng)*套 *、系統(tǒng)包含進(jìn)樣室、預(yù)處理室、外延室； *.*、進(jìn)樣室，真空腔室采用優(yōu)質(zhì)冷軋****不銹鋼制造； *.*、預(yù)處理室，真空腔室采用優(yōu)質(zhì)冷軋****不銹鋼制造； *.*、外延室，真空腔室采用優(yōu)質(zhì)冷軋****不銹鋼制造，冷阱采用優(yōu)質(zhì)****不銹鋼制； *、系統(tǒng)真空： *.*進(jìn)樣室配有分子泵、干泵獲得真空，極限真空：≤*×**-*****； *.*、預(yù)處理室配有離子泵，極限真空：≤*×**-******； *.*、外延室配有低溫泵、離子泵、升華泵，極限真空≤*×**-******； *、襯底系統(tǒng)： *.*、進(jìn)樣室配有襯底庫(kù)； *.*、預(yù)處理室配有除氣臺(tái)； *、交接系統(tǒng)：交接系統(tǒng)用于在真空腔室中完成襯底輸送。主要由手動(dòng)升降機(jī)構(gòu)、自動(dòng)線性傳遞機(jī)構(gòu)等組成。 *、外延室配有伸縮式可移動(dòng)式束流計(jì)；檢測(cè)極限≤*×**-** ****； *、外延室配有原位高能電子衍射儀：電子槍能量范圍：*-** ***； *、外延室配有*極質(zhì)譜儀：量程：*-******，檢測(cè)極限≤*.*×**-** ****；可遠(yuǎn)程控制，附帶***控制與分析軟件； *、*回收系統(tǒng)； **、***電源：可以滿足*個(gè)**爐、*臺(tái)離子泵、*臺(tái)工控機(jī)，≥*個(gè)小時(shí)的供電； **、烘烤系統(tǒng)：系統(tǒng)配備專業(yè)控制軟件，烘烤溫度不低于***℃，烘烤程序可控，實(shí)際控溫精度為±**℃； **、電控系統(tǒng)主要應(yīng)用于工藝編程、真空獲得、源爐控制以及烘烤系統(tǒng)。主要由人機(jī)交互界面、底層***核心驅(qū)動(dòng)部件、數(shù)據(jù)處理和保存部件。操作模式分為手動(dòng)模式、自動(dòng)模式和維護(hù)模式。電控系統(tǒng)控制***生長(zhǎng)室工藝，實(shí)現(xiàn)工藝自動(dòng)化控制； **、設(shè)備和軟件具有安全互聯(lián)互鎖功能。；

需滿足的要求:項(xiàng)目建設(shè)后，設(shè)備支持：生長(zhǎng)Ⅲ-**/*化合物半導(dǎo)體及其多元固溶體單晶薄膜或結(jié)構(gòu)，包括****襯底上生長(zhǎng)的****，******，********和*******，***襯底上生長(zhǎng)的***，******，********，和*******；生長(zhǎng)異質(zhì)結(jié)、超晶格和量子阱等結(jié)構(gòu)；生長(zhǎng)發(fā)光*極管（***）、邊發(fā)射和垂直腔（*****）面發(fā)射激光器、太陽(yáng)電池、光電探測(cè)器等光電器件；生長(zhǎng)高電子遷移率晶體管（****）、異質(zhì)結(jié)雙極晶體管等功率器件。

采購(gòu)內(nèi)容:射頻電源；

主要功能或目標(biāo):***，**.*****電源 *.輸出功率：*****，可選功率范圍: ** ~ 正常輸出功率； *.電壓駐波比（****）接近理想匹配狀態(tài)，設(shè)備可輸出其全部標(biāo)稱功率；電壓駐波比在失配狀態(tài)時(shí)（*****.* : *:），設(shè)備可輸出其全部標(biāo)稱功率的**%；電壓駐波比在極端不匹配時(shí)（****接近無(wú)限時(shí)）輸出功率（正向功率）大于標(biāo)稱功率的**%； *.最大反射功率: *****，標(biāo)稱負(fù)載阻抗: **Ω. *.輸出頻率及誤差: **.***** ± *%. *.通信接口：有同步接口；有模擬/數(shù)字，可選配 **-*** / **-***/ ********/********* *.外殼**防護(hù)等級(jí)：** *.水冷冷卻要求：最大水壓： * ***；最小壓差： * ***；冷卻溫度：* °*~** °* *.環(huán)境條件:室外溫度： * °* – ** °*濕度：* % – ** % 大氣壓力：**.* *** – *** *** *.配置專用匹配器 ***，**.*****電源 *.功率輸出范圍：** – *****，最大反射功率： *** * 當(dāng)電壓駐波比（*****：*~*：*），設(shè)備可輸出其全部標(biāo)稱功率；當(dāng)電壓駐波比（****）極端不匹配時(shí)（****接近無(wú)限時(shí)），輸出功率（正向功率）大于標(biāo)稱功率的**%； *.輸出頻率： **.** *** ± *.*** %； *.輸出阻抗： ** Ω；諧波： -** ***；雜波： -** ***；功率精度：±** ** ±* %；浪涌：±**；輸出功率重復(fù)性：±** ** ±* % *.可選擇運(yùn)行常規(guī)模式和脈沖模式，常規(guī)模式：正向功率、負(fù)載功率、外部電壓；脈沖模式：* **–** ***，內(nèi)部和外部信號(hào)源 頻率捷變：±*** ***（±*%） 具有抑弧功能： *.接口：模擬；*********；*****/***，系統(tǒng)端口/模擬；*******；*****/***，系統(tǒng)端口/模擬；現(xiàn)場(chǎng)總線；*****/***，系統(tǒng)端口/同步（***；脈沖；抑弧）：是 *.水冷方式：環(huán)境溫度：*°* – **°*； *.外殼防護(hù)等級(jí)：** *.可選配最高到******的脈沖輸出頻率；具備智能自動(dòng)調(diào)頻（**** ********* ******）、抑弧功能（*** **********） *.配置專用匹配器；

需滿足的要求:可用于射頻磁控濺射鍍膜裝置、射頻離子源加工以及射頻等離子體刻蝕加工專用設(shè)備中，磁控濺射源、離子源和等離子體源的射頻電源提供。

采購(gòu)內(nèi)容:自由曲面測(cè)試儀；

主要功能或目標(biāo):*.主要功能： *.*采用多波長(zhǎng)干涉方式測(cè)量*件面型，提供理論和實(shí)測(cè)曲線分析； *.*可進(jìn)行平面、球面、非球面、自由曲面的*維形貌測(cè)量； *.*可進(jìn)行曲率半徑測(cè)量； *.*具備*維參數(shù)分析功能，該參數(shù)必須包括但不限于：**/****、***********、***、****，顯示誤差圖的*維影像。 *.*有自動(dòng)消傾斜和偏心校正功能； *.*支持被測(cè)件方程及參數(shù)的輸入，并提供測(cè)量對(duì)比結(jié)果報(bào)告； *.*可檢測(cè)面型：球面、非球面、衍射面和自由曲面； 衍射面溝槽深度大于**微米； *.*測(cè)量方式：針對(duì)圓形、矩形、橢圓形、多邊形、不規(guī)則形狀等輪廓的面形均可進(jìn)行非拼接連續(xù)測(cè)量，以保證測(cè)量精度及*致性； *.*可針對(duì)深寬比較大的小口徑光學(xué)模具測(cè)量，滿足口徑≤****，曲率半徑為 **** 的凹球面測(cè)量； *.技術(shù)規(guī)格、精度指標(biāo)： *.*最大測(cè)量尺寸：Φ*****； *.*面型測(cè)量精度：≤****(**值)，重復(fù)精度≤****； *.*曲率半徑測(cè)量精度：≤*.**** (*英寸標(biāo)準(zhǔn)小球)； *.*最大測(cè)量?jī)A斜角： 凸面**°，凹面**°； *.*最大測(cè)量矢高：≤****； *.*被測(cè)件最大重量：≤****； *.*軟件分析：具備**表面可視化、可調(diào)整橫斷面、**顯示圖、濾波器 (***、***、高斯)、 最佳擬合半徑、非球面擬合、消傾斜和偏離補(bǔ)償、擬合去除、切向和徑向誤差；顯示相關(guān)參數(shù)，包括*****、**、***、****和********等的數(shù)值、測(cè)量報(bào)告 (支持***、***、****等多種輸出格式)的功能； *.* 數(shù)據(jù)輸出：數(shù)據(jù)輸入輸出格式可與***、****、***格式、** 、*****、等面形分析處理軟件數(shù)據(jù)格式兼容通用；同時(shí)可以輸出主流光學(xué)加工設(shè)備的輸入格式，用于過(guò)程面形修正；還可以輸出*****、*****等光學(xué)設(shè)計(jì)軟件輸入格式，用于設(shè)計(jì)模型修正。；

需滿足的要求:可用于對(duì)旋轉(zhuǎn)對(duì)稱和非旋轉(zhuǎn)對(duì)稱表面進(jìn)行精密的非接觸式**形狀測(cè)量，如非球面、球面、平面和自由曲面等。

采購(gòu)內(nèi)容:橢偏儀；

主要功能或目標(biāo):光譜范圍：***-******，測(cè)量角度：**-**°連續(xù)自動(dòng)可變，光斑尺寸： ***≤普通光斑直徑≤***，微光斑≤*****，連續(xù)可調(diào)測(cè)試溫度：**-***℃。；

需滿足的要求:項(xiàng)目建設(shè)后，建成并投入使用能夠提升學(xué)校在薄膜與等離子體技術(shù)方向的教學(xué)與科研設(shè)備水平，其中橢偏儀主要用于薄膜及光學(xué)元件折射率測(cè)量。橢偏儀具備滿足學(xué)校在薄膜與等離子體技術(shù)方向的教學(xué)與科研設(shè)備需求且質(zhì)量達(dá)到現(xiàn)行合格標(biāo)準(zhǔn)，符合國(guó)家、行業(yè)、地方規(guī)定的質(zhì)量和安全標(biāo)準(zhǔn)。

采購(gòu)內(nèi)容:分光光度計(jì)；

主要功能或目標(biāo):光譜范圍***-******，采用棱鏡-光柵（*-*）雙單色儀光學(xué)系統(tǒng)，光譜帶寬：紫外-可見(jiàn)區(qū)*.**-*.***(*.****步進(jìn)），*.*-*.***(*.****步進(jìn)）；雜散光（*.*.)：≤*.*****%（***** ***）；≤*.*****%（***** *****）。；

需滿足的要求:項(xiàng)目建設(shè)后，建成并投入使用能夠提升學(xué)校在薄膜與等離子體技術(shù)方向的教學(xué)與科研設(shè)備水平，其中分光光度計(jì)主要用于光學(xué)薄膜樣品及光學(xué)元件透射率檢測(cè)。分光光度計(jì)具備滿足學(xué)校在薄膜與等離子體技術(shù)方向的教學(xué)與科研設(shè)備需求且質(zhì)量達(dá)到現(xiàn)行合格標(biāo)準(zhǔn)，符合國(guó)家、行業(yè)、地方規(guī)定的質(zhì)量和安全標(biāo)準(zhǔn)。

采購(gòu)內(nèi)容:相控陣天線自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)；

主要功能或目標(biāo):相控陣天線自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)；主要功能或目標(biāo):相控陣天線自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)（含頻譜分析儀、微波信號(hào)發(fā)生器 、矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀等） *、 全數(shù)字中頻技術(shù)，頻率范圍* *** ~ **.* ***，頻率分辨率* **；*、 顯示平均噪聲電平****低于-******/**；*、 相位噪聲低于 -*** ***/**@* ***；*、 分辨率帶寬（***）*** ~ *****，步進(jìn)*-*-**；*、微波信號(hào)發(fā)生器輸出頻率范圍*** *** ~ ** ***；*、矢量網(wǎng)絡(luò)分析頻率范圍*** *** ~ **.* ***，頻率分辨率***；*、 矢量網(wǎng)絡(luò)分析端不少于*個(gè)；*、 輸出功率設(shè)置范圍-** *** ~ +** ***等；；

需滿足的要求:性能安全可靠，可開(kāi)展軍用裝備相關(guān)快速開(kāi)發(fā)驗(yàn)證及自動(dòng)化測(cè)試。 可廣泛應(yīng)用于各類移動(dòng)通信系統(tǒng)、模塊、器件的測(cè)試，支持遠(yuǎn)程桌面，適用于通信教學(xué)、微波射頻實(shí)驗(yàn)室等，滿足廣泛的應(yīng)用需求。要求高精度，可全面測(cè)試射頻、微波器件的性能。

采購(gòu)內(nèi)容:人工智能模型訓(xùn)練服務(wù)器；

主要功能或目標(biāo):人工智能模型訓(xùn)練服務(wù)器組件 *、具備雙機(jī)互備份，單機(jī)可獨(dú)立運(yùn)行功能；*、雙路*****；*、**核***線程；*、****內(nèi)存***** *** ****；*.**算力：不低于*** ******；；

需滿足的要求:可模擬各種規(guī)模的嵌入式板卡和模塊支撐系統(tǒng)自動(dòng)化、機(jī)載智能能力生成、效能評(píng)估等功能。搭載全套仿真推演平臺(tái)，用于數(shù)字孿生戰(zhàn)場(chǎng)中基于光電和電磁數(shù)據(jù)科學(xué)分析支撐的智能態(tài)勢(shì)推演和仿真。規(guī)模可調(diào)的強(qiáng)大的并行算力，滿足多平臺(tái)、多場(chǎng)景、多行業(yè)的個(gè)性化需求。

采購(gòu)內(nèi)容:計(jì)量型*坐標(biāo)測(cè)量機(jī)；

主要功能或目標(biāo):*臺(tái)計(jì)量型*坐標(biāo)測(cè)量機(jī)及相關(guān)；

主要功能或目標(biāo):（*）測(cè)量精度要求：*.*+*/***（微米）； （*）測(cè)量范圍不低于*********； （*）配備*維掃描測(cè)頭 ；；需滿足的要求:實(shí)現(xiàn)復(fù)雜*部件幾何量精密測(cè)量，可實(shí)現(xiàn)復(fù)雜刀具、齒輪、各類樣板的溯源。

采購(gòu)內(nèi)容:雙向直流源載系統(tǒng)；

主要功能或目標(biāo):雙向直流源載系統(tǒng) 輸出電壓 *****； 輸出電流 ***； 輸出功率 ****； 功率因數(shù) ＞*.**； 保護(hù)功能 ***、***、***、***； 通訊接口 *****。；

需滿足的要求:該系統(tǒng)具備高達(dá)*****的輸出電壓和***的輸出電流，能夠滿足包括無(wú)人機(jī)、導(dǎo)彈光電制導(dǎo)系統(tǒng)及高射速武器在內(nèi)的多種武器裝備在復(fù)雜工況下的電源測(cè)試需求。其****的輸出功率確保了在高負(fù)載測(cè)試場(chǎng)景下的穩(wěn)定性和可靠性。

**.**

采購(gòu)內(nèi)容:智能信息處理平臺(tái)；

主要功能或目標(biāo):智能信息處理平臺(tái) 數(shù)據(jù)采集功能： 采樣率≥******； 通道數(shù)≥*路同步模擬輸入采集通道，具備通道擴(kuò)展功能； 通道間同步精度優(yōu)于*微秒； 采集模塊各測(cè)量通道具備*-***恒壓激勵(lì)和*-****恒流激勵(lì)供電能力； 隔離電壓≥****； 半實(shí)物仿真功能： 主機(jī)采用*****? ****? ***核，*.**** *******,********； 主控板采用**** ******? ******?-* ****； 采用的兼容軟件平臺(tái)為 **-***和********； 數(shù)字*/*通道(******)≥**； 高量程數(shù)字輸入輸出通道≥*； 數(shù)字輸出電壓：*-***； 數(shù)字輸入電壓：*-***； 模擬輸出通道(******-*)≥**，***/*，**-***精度，*** **, ±** *； 模擬輸入通道(******)≥**，***/*，**-***精度，*** **, ±** *。；

需滿足的要求:數(shù)據(jù)采集模塊提供精密強(qiáng)穩(wěn)定的數(shù)據(jù)采集功能，滿足高速高動(dòng)態(tài)微小信號(hào)容易受到外界噪聲干擾，采集模塊具有隔離設(shè)計(jì)，最大化地消除接地回路和共模電壓帶來(lái)的干擾，保證信號(hào)測(cè)試質(zhì)量。半實(shí)物仿真功能滿足基于***的實(shí)時(shí)仿真和亞微秒級(jí)電力電子仿真提供強(qiáng)大的仿真能力，可提供多個(gè)具有信號(hào)調(diào)理功能的高性能模擬/數(shù)字通道，以及用于硬件對(duì)接的高速光纖接口，可作為電力電子變換器、變頻器及電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的可靠、高效的半物理實(shí)時(shí)仿真平臺(tái)。

采購(gòu)內(nèi)容:金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積設(shè)備；

主要功能或目標(biāo):*個(gè)腔室；加工*英寸或*英寸高性能銦鎵砷超晶格、氮化鎵基藍(lán)綠光***外延層等。；

需滿足的要求:實(shí)現(xiàn)片上集成光源和光探測(cè)有源器件的制備；實(shí)現(xiàn)銦鎵砷超晶格、硅鍺量子阱等主流近紅外、紅外發(fā)光和探測(cè)材料和微納結(jié)構(gòu)的晶圓流片制備。具備沉積銦鎵砷/硅鍺量子阱薄膜；典型厚度****-*****。

采購(gòu)內(nèi)容:低壓等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)；

主要功能或目標(biāo):單腔反應(yīng)爐單腔反應(yīng)爐；最大晶圓尺寸*英寸（*****）；最大加工數(shù)量***片；反應(yīng)方式：熱反應(yīng)（****℃）；可加工工藝：*****, ******, *******, ****, ****, ***, ****-*. 用于制備*****薄膜（芯片級(jí)）；；

需滿足的要求:該項(xiàng)目是制備集成氮化硅波導(dǎo)的重要手段。基于*****技術(shù)制備的氮化硅波導(dǎo)，有結(jié)構(gòu)緊湊致密、表面光滑的特點(diǎn)，其傳輸損耗能降低到很小的值；導(dǎo)傳輸損耗可以低至*.***/**。相比于*****技術(shù)制備的氮化硅波導(dǎo)，其主要優(yōu)勢(shì)是傳輸損耗更低。：與實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有的*****薄膜沉積、等離子體刻蝕設(shè)備可以構(gòu)建*套光子芯片用光波導(dǎo)等無(wú)源器件制造體系。

采購(gòu)內(nèi)容:矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀；

主要功能或目標(biāo):性能要求： 頻率范圍：覆蓋******~***** 最大測(cè)量電平：≥***** 內(nèi)置衰減器范圍：*~**** 分辨率帶寬：***~**** 顯示平均噪聲電平：優(yōu)于-******/**（****） 單邊帶相位噪聲：優(yōu)于-******/**（****） 信號(hào)分析帶寬：不小于****** 設(shè)備形態(tài)：臺(tái)式儀器，具備按鍵與觸摸屏 工作溫度：*℃~**℃ 儲(chǔ)藏溫度：-**℃~**℃ 功能要求： 具備頻譜分析功能，包含*掃寬，通道功率測(cè)量，占用帶寬測(cè)量，***帶寬測(cè)量，鄰道功率測(cè)量等基本測(cè)量功能。 具備掃描頻率，**瀑布圖，**瀑布圖顯示 具備相位噪聲測(cè)試功能 具備矢量信號(hào)分析功能，支持***、***、***等格式 具備**信號(hào)與**信號(hào)解調(diào)功能 支持內(nèi)外參考切換；

需滿足的要求:實(shí)現(xiàn)矢量信號(hào)分析功能，對(duì)信號(hào)從頻率，時(shí)域，調(diào)制域進(jìn)行分析。 能夠從頻譜界面讀取信號(hào)的頻率，幅度，帶寬等信息，能夠從矢量信號(hào)分析界面讀取頻率誤差，星座圖，調(diào)制質(zhì)量等信息。