配置： *.最大可鍍*英寸（Φ*****）*片或者均布其它規格小片；基片臺配擋板、旋轉，加熱 *只*****圓形平面靶，*臺電源，直流*臺/射頻*臺 *.配負偏壓電源 *.*路工藝氣體 *.***手自動控制，觸摸屏操作 參數：*.真空腔室：凈空間尺寸不大于Φ***×******，要求前開門，前門需配備觀察窗，觀察窗玻璃尺寸不小于Φ****；配至少*套方便拆卸的防污隔板；腔室、法蘭、管道、防污隔板等均采用***無磁不銹鋼材質； *.真空系統：主泵分子泵抽速不小于******/*，雙級旋片泵抽速不小于****/*，全量程數顯復合真空計量程：*×***～*×**-***； *.▲真空極限：優于*.*×**-*****； *.★抽速：抽至*.*×**-* ****≤*****； *.▲基片臺：根據客戶要求定制的基片臺，最大可處理基片不小于*英寸，基片臺配*體式全尺寸擋板，擋板開合需要磁流體密封；基片臺需要設計旋轉：旋轉速度*-**轉/分連續可調，基片臺旋轉需要磁流體密封；基片臺加熱：***智能溫控表，控溫范圍室溫～***℃；配負偏壓電源*臺； *.★陰極靶：*只*英寸圓形平面靶，射頻靶需采用原裝進口品牌，靶頭內部需采用全金屬密封，不得采用膠圈密封，以滿足超高真空應用。靶材安裝不需要固定壓環，暗區屏蔽裝置高度低于靶材表面，減少對輝光區域的束縛，并降低靶材之外材料被同時濺射出來的幾率。靶頭可調整角度不小于±**°，可單靶輪流/多靶聚焦共濺射； *.濺射電源：直流電源*臺，要求可切換恒壓，恒流，恒功率控制模式，電源功率可以預先設置；射頻電源*臺，要求自動匹配； *.靶擋板：靶上有氣動水平打開式擋板，角度與靶傾斜角度同步可調，要求磁流體密封； *.氣路系統：不少于*路工藝氣體*** 控制，量程范圍需滿足工藝制備金屬、金屬氧化物的需要； **.操控系統：***+觸摸屏手自*體操控系統，觸摸屏不小于**英寸，真空系統的控制分為手動和自動*種模式，自動模式下，根據腔內壓強自動執行相關泵，閥的啟閉；可遠程監控，軟件使用期限：永久有效； **.其它：冷卻循環水機*臺，制冷量不小于**；鍍膜設備及外圍設備（冷水機等）總占地面積不超過*平米。

質保*年